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AT28BV256-20JU

廠商:
Atmel
類別:
EEPROM
包裝:
Tube
封裝:
PLCC 32J 32
無鉛情況/ROHS:
有鉛
描述:
Battery-Voltage Parallel EEPROM 2...

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  • 參數(shù)
  • 描述
  • 文檔
參數(shù) 數(shù)值
速度 200ns
存儲(chǔ)器格式 EEPROMs - Parallel
接口 Parallel
存儲(chǔ)器類型 EEPROM
存儲(chǔ)器大小 256K (32K x 8)
工作電壓 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
Density 256Kb
Operating Voltage (Vcc) 2.7-3.6
Organization 32K x 8
Speed 200 ns

High-performance 256K EEPROM offers access times to 200ns with 54mW power dissipation and 2.7V supply voltage. Deselected, CMOS standby current is less than 20µA . It is accessed like static RAM for the read or write cycle without external components. It contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. The EEPROM features Internal error correction for extended endurance and improved data retention. Optional software data protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

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